Forschende des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF haben im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL (»GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden«) ein leistungselektronisches Modul auf Ga…
Forschende des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF haben im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL (»GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden«) ein leistungselektronisches Modul auf Galliumnitrid-(GaN-)Basis für bidirektionale Gleichstrom-Ladesysteme (Direct Current, DC) der 800-V-Klasse entwickelt. Der Projektpartner Ambibox GmbH integrierte das Modul in den Demonstrator eines bidirektionalen, einphasigen Off-Board-Ladegeräts für elektrische …