Aluminiumnitrid (AlN) zählt zu den Halbleitern mit extrem breiter Bandlücke (sogenannte ´ultrawide-bandgap semiconductor`). Die exzellenten physikalischen Eigenschaften – insbesondere hohe Durchbruchfeldstärken, Wärmeleitfähigkeit und Transparenz im U…
Aluminiumnitrid (AlN) zählt zu den Halbleitern mit extrem breiter Bandlücke (sogenannte ´ultrawide-bandgap semiconductor`). Die exzellenten physikalischen Eigenschaften – insbesondere hohe Durchbruchfeldstärken, Wärmeleitfähigkeit und Transparenz im UV-Bereich – eröffnen neue Perspektiven für kompakte, energieeffiziente und hochtemperaturfeste Bauelemente der Leistungselektronik und im Bereich der UV-Desinfektion. Die in dem gemeinsamen Projekt angestrebte Skalierung der AlN-Kristalldurchmesser von derzeit 2 Zoll …