Die Kombination von Rasterkraftmikroskopie (AFM) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) stellt einen bedeutenden Fortschritt in der Oberflächencharakterisierung dar. XPS ist eine etablierte Methode zur Bestimmung der chemischen Zusammensetzung…
Die Kombination von Rasterkraftmikroskopie (AFM) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) stellt einen bedeutenden Fortschritt in der Oberflächencharakterisierung dar. XPS ist eine etablierte Methode zur Bestimmung der chemischen Zusammensetzung von Oberflächen. Bei rauen Oberflächen wie Black Silicon wird die XPS-Analyse jedoch durch die unterschiedlichen Emissionswinkel der Photoelektronen verfälscht (siehe Abbildung), was zu einer starken Überschätzung der wahren Schichtdicken führen kann. Auf der glatten …